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赛晶首发自研国产IGBT芯片新进展 未来将缓解供需失衡现状

来源:网络整理 作者:admin 人气: 发布时间:2020-10-20
摘要:赛晶首发自研国产IGBT芯片新进展 未来将缓解供需失衡现状---28日,赛晶电力电子向社会发布首款由公司自主研发的国

  新华网北京9月28日电(杨晓波)近年来,在光伏、风电产业链已趋向整体国产化的背景下,核心部件IGBT却仍依赖进口。尽管政策与企业共同发力,国内IGBT市场向好,但IGBT市场依旧供不应求。IGBT,即绝缘栅双极型晶体管,被视为电力领域的“CPU”,是具有驱动功率小与饱和压降低等优点的半导体功率器件。

  28日,赛晶电力电子向社会发布首款由公司自主研发的国产IGBT是1200V的芯片及模块产品。据介绍,该公司将陆续推出600V至1700V的中低压领域产品,目标市场为电动汽车、光伏风电、工业变频等市场。

  此次,公司发布的产品备受期待,在赛晶电力电子集团有限公司董事长项颉看来是由于公司拥有近20年的功率半导体行业积淀,拥有成熟的市场渠道和深厚的客户积累,为赛晶迅速取得打开市场奠定了良好基础。“我们研发团队大多来自ABB半导体或顶尖企业的人才,对IGBT有很深理解与丰富经验。并且,我们行业用户集中且稳定。”

  赛晶电力电子国产IGBT备受新能源发电产业关注,反映出该产业对IGBT国产替代的“渴望”。项颉向记者介绍,该项目预计今年年底前厂房建设完成,2021年一季度第一条生产线试生产、第二条生产线投资启动,预计未来3至5年完成全部生产线建设。“一旦公司产品批量供货,项目产能释放,就会迅速帮助市场与企业解决缺货问题,缓解供需失衡的现状。”

  据业界人士介绍,逆变器、变流器以及其它光伏、风电技术装置均离不开IGBT器件,近年来,虽然光伏发电、风力发电迈向国际前沿,产业链整体国产化,但其核心功率器件IGBT仍是依赖进口,依存度达90%。

  项颉坦言,在低电压、小功率、技术难度和性能要求相对较低的领域,国内企业取得了不错的成绩,特别是模块封装企业进步明显。但不可否认的是,特别是对IGBT模块性能起到决定性作用的IGBT芯片,国内与国外技术差距较大。

  4年前,赛晶电力电子开始布局IGBT,今年6月生产基地落地浙江嘉兴。该项目规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线,建成后年产能达200万件IGBT模块产品。

  赛晶电力电子具有近20年的功率半导体行业积淀,与国内竞争者不同的是,赛晶电力电子以来自国际顶级企业的技术专家团队为核心,自国际一流水平开始起步,致力于打造具有国际主流竞争力的高端产品。

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